BDP 949 E6327 全国供应商、价格、PDF资料

BDP 949 E6327详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN AF 60V SOT-223

系列：-

制造商：Infineon Technologies

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 200mA，2A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 500mA，1V

功率_最大：5W

频率_转换：100MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：PG-SOT223-4

包装：剪切带 (CT)

BDP 949 E6327详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN AF 60V SOT-223

系列：-

制造商：Infineon Technologies

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 200mA，2A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 500mA，1V

功率_最大：5W

频率_转换：100MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：PG-SOT223-4

包装：Digi-Reel®

BDP 949 E6327详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN AF 60V SOT-223

系列：-

制造商：Infineon Technologies

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 200mA，2A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 500mA，1V

功率_最大：5W

频率_转换：100MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：PG-SOT223-4

包装：带卷 (TR)